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DMN10H170SFDE-13

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: DMN10H170SFDE-13
説明: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 160mOhm @ 5A, 10V
電力放蕩(マックス) 660mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ U-DFN2020-6 (Type E)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 9.7nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1167pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 2.9A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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