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DMN10H170SFDE-13

メーカー:	Diodes Incorporated
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	DMN10H170SFDE-13
説明:	MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Diodes Incorporated
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	-
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	160mOhm @ 5A, 10V
電力放蕩(マックス)	660mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ	U-DFN2020-6 (Type E)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	9.7nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	1167pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	2.9A (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V