DMN2015UFDF-7
メーカー: | Diodes Incorporated |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | DMN2015UFDF-7 |
説明: | MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Diodes Incorporated |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | - |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tape & Reel (TR) |
vgs max | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 6-UDFN Exposed Pad |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 9mOhm @ 8.5A, 4.5V |
電力放蕩(マックス) | 1.8W (Ta) |
サプライヤー装置パッケージ | U-DFN2020-6 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 42.3nC @ 10V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 20V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1439pF @ 10V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 15.2A (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 1.5V, 4.5V |
在庫が 60 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.15 | $0.15 | $0.14 |
最小: 1