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DMN2016LHAB-7

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: DMN2016LHAB-7
説明: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual) Common Drain
包装 Digi-Reel®
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Active
-マックス 1.2W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 15.5mOhm @ 4A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ U-DFN2030-6
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 20V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1550pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 7.5A

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