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DMN3012LFG-13

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: DMN3012LFG-13
説明: MOSFET 2 N-CH 30V POWERDI3333
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Tape & Reel (TR)
fet特徴 Standard
部地位 Obsolete
-マックス 2.2W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerLDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 12mOhm @ 15A, 5V, 6mOhm @ 15A, 5V
サプライヤー装置パッケージ PowerDI3333-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 6.1nC @ 4.5V, 12.6nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 850pF @ 15V, 1480pF @ 15V
現在25%で安全連続(id) @°c 20A (Tc)

在庫が 58 pcs

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