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FDG6303N_G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: FDG6303N_G
説明: INTEGRATED CIRCUIT
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Bulk
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 300mW
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 450mOhm @ 500mA, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ SC-88 (SC-70-6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 50pF @ 10V
現在25%で安全連続(id) @°c 500mA

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