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ZTX855

メーカー: Diodes Incorporated
対象品目: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
データシート: ZTX855
説明: TRANS NPN 150V 4A E-LINE
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Diodes Incorporated
対象品目 Transistors - Bipolar (BJT) - Single
シリーズ -
包装 Bulk
部地位 Active
-マックス 1.2W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 E-Line-3
トランジスタタイプ NPN
作動温度 -55°C ~ 200°C (TJ)
周波数-遷移 90MHz
サプライヤー装置パッケージ E-Line (TO-92 compatible)
vイス(Max) @ Ib、Ic 260mV @ 400mA, 4A
現在-コレクター・Ic (Max) 4A
トラッキング・キュートフ(マックス) 50nA (ICBO)
DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce 100 @ 1A, 5V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 150V

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