Image is for reference only , details as Specifications
EPC2010C
| メーカー: | EPC |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | EPC2010C |
| 説明: | GANFET TRANS 200V 22A BUMPED DIE |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | EPC |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | eGaN® |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Digi-Reel® |
| vgs max | +6V, -4V |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Active |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| 作動温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 25mOhm @ 12A, 5V |
| 電力放蕩(マックス) | - |
| サプライヤー装置パッケージ | Die Outline (7-Solder Bar) |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 5.3nC @ 5V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 200V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 100V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 22A (Ta) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 5V |
