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EPC2107ENGRT

メーカー:	EPC
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	EPC2107ENGRT
説明:	GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	EPC
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	eGaN®
fet234タイプ	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
包装	Digi-Reel®
fet特徴	GaNFET (Gallium Nitride)
部地位	Discontinued at Digi-Key
-マックス	-
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	9-VFBGA
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
作動温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
サプライヤー装置パッケージ	9-BGA (1.35x1.35)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	16pF @ 50V, 7pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c	1.7A, 500mA