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EPC2107ENGRT

メーカー: EPC
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: EPC2107ENGRT
説明: GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー EPC
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ eGaN®
fet234タイプ 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
包装 Digi-Reel®
fet特徴 GaNFET (Gallium Nitride)
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス -
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 9-VFBGA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
サプライヤー装置パッケージ 9-BGA (1.35x1.35)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 1.7A, 500mA

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