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1N8035-GA
| メーカー: | GeneSiC Semiconductor |
|---|---|
| 対象品目: | Diodes - Rectifiers - Single |
| データシート: | 1N8035-GA |
| 説明: | DIODE SCHOTTKY 650V 14.6A TO276 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | GeneSiC Semiconductor |
| 対象品目 | Diodes - Rectifiers - Single |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tube |
| ダイオードタイプ | Silicon Carbide Schottky |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | TO-276AA |
| ベース部材番号 | 1N8035 |
| 容量@ Vr, F | 1107pF @ 1V, 1MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-276 |
| 反転回復時間(trr) | 0ns |
| 逆流漏れ@ Vr | 5µA @ 650V |
| 電圧—DCリバースパス(Vr) (Max | 650V |
| 電流-平均整流器(Io) | 14.6A (DC) |
| 操作温度-接合部 | -55°C ~ 250°C |
| -前进(Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 15A |
