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GA50JT06-258

メーカー: GeneSiC Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: GA50JT06-258
説明: TRANS SJT 600V 100A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー GeneSiC Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ -
包装 Bulk
vgs max -
技術 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-258-3, TO-258AA
Vgs(th) (Max) @ Id -
作動温度 -55°C ~ 225°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 25mOhm @ 50A
電力放蕩(マックス) 769W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-258
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 600V
現在25%で安全連続(id) @°c 100A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) -

在庫が 95 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$626.75 $614.22 $601.93
最小: 1

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