Image is for reference only , details as Specifications

GSID080A120B1A5

メーカー: Global Power Technologies Group
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: GSID080A120B1A5
説明: SILICON IGBT MODULES
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Global Power Technologies Group
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ Amp+™
igbtタイプ -
部地位 Active
-マックス 1710W
構成 Single
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor Yes
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 80A
現在-コレクター・Ic (Max) 160A
入力容量(Cies) @ Vce 7nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 57 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$58.36 $57.19 $56.05
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

MUBW15-12T7
IXYS
$57.97
MUBW10-12A7
IXYS
$57.95
VS-70MT060WHTAPBF
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$57.79
MII100-12A3
IXYS
$57.78
FS25R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
$57.16