画像は参考までに、仕様書を参照してください

GSID150A120S6A4

メーカー: Global Power Technologies Group
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: GSID150A120S6A4
説明: SILICON IGBT MODULES
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Global Power Technologies Group
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ Amp+™
igbtタイプ -
部地位 Active
-マックス 1035W
構成 Single
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor Yes
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 150A
現在-コレクター・Ic (Max) 275A
入力容量(Cies) @ Vce 20.2nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 91 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$108.51 $106.34 $104.21
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

FF225R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
$107.51
FP50R12KT3BOSA1
Infineon Technologies
$107.14
FF200R12KE4PHOSA1
Infineon Technologies
$106.88
DDB6U180N16RRB37BOSA1
Infineon Technologies
$106.56
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
$106.12