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IXBT20N360HV

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXBT20N360HV
説明: IGBT 3600V 70A TO-268HV
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ BIMOSFET™
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 110nC
部地位 Active
-マックス 430W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
実験条件 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 18ns/238ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-268
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 20A
反転回復時間(trr) 1.7µs
現在-コレクター・Ic (Max) 70A
現在-コレクターピン(Icm) 220A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 3600V

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