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IXGB200N60B3

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXGB200N60B3
説明: IGBT 600V 75A 1250W PLUS264
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ GenX3™
igbtタイプ PT
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 750nC
部地位 Active
-マックス 1250W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-264-3, TO-264AA
実験条件 300V, 100A, 1Ohm, 15V
ベース部材番号 IXG*200N60
スイッチングエネルギー 1.6mJ (on), 2.9mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 44ns/310ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ PLUS264™
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 15V, 100A
現在-コレクター・Ic (Max) 75A
現在-コレクターピン(Icm) 600A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

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