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IXGK120N120B3

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXGK120N120B3
説明: IGBT 1200V 200A 830W TO264
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ GenX3™
igbtタイプ PT
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 470nC
部地位 Active
-マックス 830W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-264-3, TO-264AA
実験条件 600V, 100A, 2Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 5.5mJ (on), 5.8mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 36ns/275ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-264 (IXGK)
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 100A
現在-コレクター・Ic (Max) 200A
現在-コレクターピン(Icm) 370A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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