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IXGQ35N120BD1

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IXGQ35N120BD1
説明: IGBT 1200V 75A 400W TO3P
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 140nC
部地位 Active
-マックス 400W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-3P-3, SC-65-3
実験条件 960V, 35A, 3Ohm, 15V
ベース部材番号 IXG*35N120
スイッチングエネルギー 900µJ (on), 3.8mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 40ns/270ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-3P
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 3.3V @ 15V, 35A
反転回復時間(trr) 40ns
現在-コレクター・Ic (Max) 75A
現在-コレクターピン(Icm) 200A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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