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IXTN120P20T

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IXTN120P20T
説明: MOSFET P-CH 200V 106A SOT-227
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ TrenchP™
fet234タイプ P-Channel
包装 Tube
vgs max ±15V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Chassis Mount
パケット/場合 SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 30mOhm @ 60A, 10V
電力放蕩(マックス) 830W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ SOT-227B
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 740nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 73000pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 106A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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