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IXTN550N055T2

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IXTN550N055T2
説明: MOSFET N-CH 55V 550A SOT-227
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ GigaMOS™, TrenchT2™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Chassis Mount
パケット/場合 SOT-227-4, miniBLOC
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 1.3mOhm @ 100A, 10V
電力放蕩(マックス) 940W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ SOT-227B
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 595nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 55V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 40000pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 550A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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