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IXTT60N20L2

メーカー: IXYS
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IXTT60N20L2
説明: MOSFET N-CH 200V 60A TO268
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー IXYS
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ Linear L2™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 45mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス) 540W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ TO-268
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 255nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 10500pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 60A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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