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MII200-12A4
| メーカー: | IXYS |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - IGBTs - Modules |
| データシート: | MII200-12A4 |
| 説明: | MOD IGBT RBSOA 1200V 270A Y3-DCB |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | IXYS |
| 対象品目 | Transistors - IGBTs - Modules |
| 入力 | Standard |
| シリーズ | - |
| igbtタイプ | NPT |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 1130W |
| 構成 | Half Bridge |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| ntc thermistor | No |
| パケット/場合 | Y3-DCB |
| ベース部材番号 | MII |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| サプライヤー装置パッケージ | Y3-DCB |
| v(オン)(Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 150A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 270A |
| 入力容量(Cies) @ Vce | 11nF @ 25V |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 10mA |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 1200V |
在庫が 53 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $110.25 | $108.05 | $105.88 |
最小: 1
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