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64-0055PBF
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| データシート: | 64-0055PBF |
| 説明: | MOSFET N-CH TO-220AB |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| シリーズ | HEXFET® |
| fet234タイプ | N-Channel |
| 包装 | Tube |
| vgs max | ±20V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| fet特徴 | - |
| 部地位 | Obsolete |
| 取付タイプ | Through Hole |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| 作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rdsデータ(Max) @ Vgs | 4.2mOhm @ 75A, 10V |
| 電力放蕩(マックス) | 230W (Tc) |
| ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 60V |
| 入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 4520pF @ 50V |
| 現在25%で安全連続(id) @°c | 160A (Tc) |
| 駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 10V |
