画像は参考までに、仕様書を参照してください
BFP640FESDH6327XTSA1
| メーカー: | Infineon Technologies |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| データシート: | BFP640FESDH6327XTSA1 |
| 説明: | RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | Infineon Technologies |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - RF |
| 利得 | 8B ~ 30.5dB |
| シリーズ | - |
| 包装 | Tape & Reel (TR) |
| 部地位 | Active |
| -マックス | 200mW |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パケット/場合 | 4-SMD, Flat Leads |
| トランジスタタイプ | NPN |
| ベース部材番号 | BFP640 |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 46GHz |
| サプライヤー装置パッケージ | 4-TSFP |
| 騷音図(dB Typ @ f) | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 50mA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 110 @ 30mA, 3V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 4.7V |
在庫が 96 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.20 | $0.20 | $0.19 |
最小: 1
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