画像は参考までに、仕様書を参照してください

BSB008NE2LXXUMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: BSB008NE2LXXUMA1
説明: MOSFET N-CH 25V 46A 2WDSON
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 3-WDSON
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 0.8mOhm @ 30A, 10V
電力放蕩(マックス) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ MG-WDSON-2, CanPAK M™
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 343nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 16000pF @ 12V
現在25%で安全連続(id) @°c 46A (Ta), 180A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

在庫が 56 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.03 $1.01 $0.99
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

FDMC86340ET80
ON Semiconductor
$0
VN3205N3-G-P002
Lanka Micro
$1.03
TK6Q65W,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
$1.03
FQI4N90TU
ON Semiconductor
$1.03
AOB266L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$0