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BSC105N10LSFGATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: BSC105N10LSFGATMA1
説明: MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Not For New Designs
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 110µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 10.5mOhm @ 50A, 10V
電力放蕩(マックス) 156W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TDSON-8-1
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 3900pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 11.4A (Ta), 90A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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