画像は参考までに、仕様書を参照してください

BSM50GB170DN2HOSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: BSM50GB170DN2HOSA1
説明: IGBT 1700V 72A 500W MODULE
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ -
部地位 Obsolete
-マックス 500W
構成 Half Bridge
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 Module
作動温度 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 50A
現在-コレクター・Ic (Max) 72A
入力容量(Cies) @ Vce 8nF @ 25V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1700V

在庫が 61 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

FP30R06YE3BOMA1
Infineon Technologies
$0
FA300R12ME4BOSA1
Infineon Technologies
$0
VS-GA100TS60SF
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$0
VS-GA200HS60S1
Vishay / Semiconductor - Diodes Division
$0
BSM300GA170DN2HOSA1
Infineon Technologies
$0