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VS-GA200HS60S1

メーカー: Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: VS-GA200HS60S1
説明: IGBT 600V 480A 830W
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Vishay / Semiconductor - Diodes Division
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ -
部地位 Obsolete
-マックス 830W
構成 Half Bridge
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 INT-A-Pak
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ INT-A-PAK
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.21V @ 15V, 200A
現在-コレクター・Ic (Max) 480A
入力容量(Cies) @ Vce 32.5nF @ 30V
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 600V

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