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BSM50GD120DN2G

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: BSM50GD120DN2G
説明: IGBT BSM50GD120DN2GBOSA1
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ -
部地位 Obsolete
-マックス 400W
構成 Full Bridge
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 Module
作動温度 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A
現在-コレクター・Ic (Max) 78A
入力容量(Cies) @ Vce 33nF @ 25V
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 52 pcs

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