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BSS83PE6327

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: BSS83PE6327
説明: MOSFET P-CH 60V 330MA SOT-23
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ SIPMOS®
fet234タイプ P-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 80µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 2Ohm @ 330mA, 10V
電力放蕩(マックス) 360mW (Ta)
サプライヤー装置パッケージ SOT-23-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 3.57nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 78pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 330mA (Ta)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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