Image is for reference only , details as Specifications

BSZ22DN20NS3GATMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	BSZ22DN20NS3GATMA1
説明:	MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 13µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	225mOhm @ 3.5A, 10V
電力放蕩(マックス)	34W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TSDSON-8
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	5.6nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	430pF @ 100V
現在25%で安全連続(id) @°c	7A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V