画像は参考までに、仕様書を参照してください

DF200R12W1H3FB11BOMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: DF200R12W1H3FB11BOMA1
説明: MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2-1
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ EasyPACK™
igbtタイプ Trench Field Stop
部地位 Not For New Designs
-マックス 20mW
構成 Three Phase Inverter
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor Yes
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.45V @ 15V, 30A
現在-コレクター・Ic (Max) 30A
入力容量(Cies) @ Vce 6.15nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 1mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 86 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$73.56 $72.09 $70.65
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

MUBW35-12A8
IXYS
$73.51
MG06100S-BR1MM
Littelfuse Inc.
$73.49
FP50R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
$73.34
MIXA80W1200TED
IXYS
$73.11
FS75R07N2E4B11BOSA1
Infineon Technologies
$72.79