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FF200R12KT4HOSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: FF200R12KT4HOSA1
説明: IGBT MODULE 1200V 200A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ C
igbtタイプ Trench Field Stop
部地位 Active
-マックス 1100W
構成 Half Bridge
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor No
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
現在-コレクター・Ic (Max) 320A
入力容量(Cies) @ Vce 14nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 5mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 16 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$100.81 $98.79 $96.82
最小: 1

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