画像は参考までに、仕様書を参照してください

FF225R17ME4BOSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Modules
データシート: FF225R17ME4BOSA1
説明: IGBT MODULE VCES 1200V 225A
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Modules
入力 Standard
シリーズ -
igbtタイプ Trench Field Stop
部地位 Active
-マックス 1500W
構成 2 Independent
取付タイプ Chassis Mount
ntc thermistor Yes
パケット/場合 Module
作動温度 -40°C ~ 150°C
サプライヤー装置パッケージ Module
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 225A
現在-コレクター・Ic (Max) 340A
入力容量(Cies) @ Vce 18.5nF @ 25V
トラッキング・キュートフ(マックス) 3mA
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1700V

在庫が 92 pcs

いや「参考価格 ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$137.75 $135.00 $132.30
最小: 1

要求引用

下の書類に記入して、できるだけ早くご連絡します

Bargain Finds

FZ400R12KS4PHOSA1
Infineon Technologies
$137.46
GSID100A120T2P2
Global Power Technologies Group
$137.13
FF450R07ME4B11BOSA1
Infineon Technologies
$136.75
FS75R17KE3BOSA1
Infineon Technologies
$136
FS150R07N3E4BOSA1
Infineon Technologies
$135.85