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FF8MR12W2M1B11BOMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート:	FF8MR12W2M1B11BOMA1
説明:	MOSFET MODULE 1200V 150A
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ	CoolSiC™+
fet234タイプ	2 N-Channel (Dual)
fet特徴	Silicon Carbide (SiC)
部地位	Active
-マックス	20mW (Tc)
取付タイプ	Chassis Mount
パケット/場合	Module
Vgs(th) (Max) @ Id	5.55V @ 60mA
作動温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
サプライヤー装置パッケージ	AG-EASY2BM-2
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	372nC @ 15V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	1200V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	11000pF @ 800V
現在25%で安全連続(id) @°c	150A (Tj)