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IHW30N110R3FKSA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IHW30N110R3FKSA1
説明: IGBT 1100V 60A 333W TO247-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ Trench
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 180nC
部地位 Active
-マックス 333W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 600V, 30A, 15Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 1.15mJ (off)
td (on / off) @ 25°c -/350ns
作動温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO247-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 30A
現在-コレクター・Ic (Max) 60A
現在-コレクターピン(Icm) 90A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1100V

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