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IPB80N06S2L11ATMA2

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPB80N06S2L11ATMA2
説明:	MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	OptiMOS™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 93µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	10.7mOhm @ 40A, 10V
電力放蕩(マックス)	158W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-TO263-3-2
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	55V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	2075pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	80A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V