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IPI052NE7N3 G

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IPI052NE7N3 G
説明: MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ OptiMOS™
fet234タイプ N-Channel
包装 Tube
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Obsolete
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 91µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 5.2mOhm @ 80A, 10V
電力放蕩(マックス) 150W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO262-3
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 75V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 4750pF @ 37.5V
現在25%で安全連続(id) @°c 80A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

在庫が 80 pcs

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