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IPT60R028G7XTMA1

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IPT60R028G7XTMA1
説明:	MOSFET N-CH 600V 75A HSOF-8
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	CoolMOS™ G7
fet234タイプ	N-Channel
包装	Cut Tape (CT)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerSFN
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1.44mA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	28mOhm @ 28.8A, 10V
電力放蕩(マックス)	391W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	PG-HSOF-8-2
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	123nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	600V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	4820pF @ 400V
現在25%で安全連続(id) @°c	75A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V