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IRF7338PBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: IRF7338PBF
説明: MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ N and P-Channel
包装 Tube
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 2W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ベース部材番号 IRF7338PBF
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 34mOhm @ 6A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 12V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 9V
現在25%で安全連続(id) @°c 6.3A, 3A

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