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IRFHE4250DTRPBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: IRFHE4250DTRPBF
説明: MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ FASTIRFET™
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Cut Tape (CT)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 156W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 32-PowerWFQFN
ベース部材番号 IRFHE4250
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 35µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 2.75mOhm @ 27A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 32-PQFN (6x6)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 25V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1735pF @ 13V
現在25%で安全連続(id) @°c 86A, 303A

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