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IRFHM3911TRPBF

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IRFHM3911TRPBF
説明:	MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	HEXFET®
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tape & Reel (TR)
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Surface Mount
パケット/場合	8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 35µA
作動温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	115mOhm @ 6.3A, 10V
電力放蕩(マックス)	2.8W (Ta), 29W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	8-PQFN (3x3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c	3.2A (Ta), 20A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	10V