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IRFHM3911TRPBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRFHM3911TRPBF
説明: MOSFET N-CH 100V 10A PQFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ N-Channel
包装 Tape & Reel (TR)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 115mOhm @ 6.3A, 10V
電力放蕩(マックス) 2.8W (Ta), 29W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 8-PQFN (3x3)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 100V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 50V
現在25%で安全連続(id) @°c 3.2A (Ta), 20A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 10V

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