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IRG8P50N120KD-EPBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: IRG8P50N120KD-EPBF
説明: IGBT 1200V 80A 305W TO-247AD
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ -
包装 Tube
入力タイプ Standard
門電荷 315nC
部地位 Obsolete
-マックス 350W
取付タイプ Through Hole
パケット/場合 TO-247-3
実験条件 600V, 35A, 5Ohm, 15V
スイッチングエネルギー 2.3mJ (on), 1.9mJ (off)
td (on / off) @ 25°c 35ns/190ns
作動温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ TO-247AD
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 35A
反転回復時間(trr) 170ns
現在-コレクター・Ic (Max) 80A
現在-コレクターピン(Icm) 105A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

在庫が 67 pcs

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