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IRL60B216

メーカー:	Infineon Technologies
対象品目:	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート:	IRL60B216
説明:	MOSFET N-CH 60V 195A
rohs地位:	rohs化

属性	属性値
メーカー	Infineon Technologies
対象品目	Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ	HEXFET®, StrongIRFET™
fet234タイプ	N-Channel
包装	Tube
vgs max	±20V
技術	MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴	-
部地位	Active
取付タイプ	Through Hole
パケット/場合	TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
作動温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs	1.9mOhm @ 100A, 10V
電力放蕩(マックス)	375W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ	TO-220AB
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs	258nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。	60V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds	15570pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c	195A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン)	4.5V, 10V