IRLB4030PBF
メーカー: | Infineon Technologies |
---|---|
対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | IRLB4030PBF |
説明: | MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
---|---|
メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | HEXFET® |
fet234タイプ | N-Channel |
包装 | Tube |
vgs max | ±16V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Active |
取付タイプ | Through Hole |
パケット/場合 | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 4.3mOhm @ 110A, 10V |
電力放蕩(マックス) | 370W (Tc) |
サプライヤー装置パッケージ | TO-220AB |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 4.5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 100V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 11360pF @ 50V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 180A (Tc) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 4.5V, 10V |
在庫が 973 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$3.73 | $3.66 | $3.58 |
最小: 1