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IRL6372PBF

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: IRL6372PBF
説明: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ HEXFET®
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Tube
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス 2W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ベース部材番号 IRL6372PBF
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
サプライヤー装置パッケージ 8-SO
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 8.1A

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