IRL6372PBF
メーカー: | Infineon Technologies |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
データシート: | IRL6372PBF |
説明: | MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
シリーズ | HEXFET® |
fet234タイプ | 2 N-Channel (Dual) |
包装 | Tube |
fet特徴 | Logic Level Gate |
部地位 | Discontinued at Digi-Key |
-マックス | 2W |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
ベース部材番号 | IRL6372PBF |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V |
サプライヤー装置パッケージ | 8-SO |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 30V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 25V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 8.1A |
在庫が 82 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1