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NVMD6N03R2G

メーカー: ON Semiconductor
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
データシート: NVMD6N03R2G
説明: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー ON Semiconductor
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
シリーズ -
fet234タイプ 2 N-Channel (Dual)
包装 Tape & Reel (TR)
fet特徴 Logic Level Gate
部地位 Obsolete
-マックス 1.29W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ベース部材番号 NTMD6N03
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 32mOhm @ 6A, 10V
サプライヤー装置パッケージ 8-SOIC
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 30V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 24V
現在25%で安全連続(id) @°c 6A

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