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IRL80HS120

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
データシート: IRL80HS120
説明: MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - FETs, MOSFETs - Single
シリーズ -
fet234タイプ N-Channel
包装 Cut Tape (CT)
vgs max ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
fet特徴 -
部地位 Active
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 6-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 10µA
作動温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
Rdsデータ(Max) @ Vgs 32mOhm @ 7.5A, 10V
電力放蕩(マックス) 11.5W (Tc)
サプライヤー装置パッケージ 6-PQFN (2x2)
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 80V
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 25V
現在25%で安全連続(id) @°c 12.5A (Tc)
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) 4.5V, 10V

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