IRLML6302TR
メーカー: | Infineon Technologies |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
データシート: | IRLML6302TR |
説明: | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | Infineon Technologies |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
シリーズ | HEXFET® |
fet234タイプ | P-Channel |
包装 | Cut Tape (CT) |
vgs max | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
fet特徴 | - |
部地位 | Obsolete |
取付タイプ | Surface Mount |
パケット/場合 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
作動温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rdsデータ(Max) @ Vgs | 600mOhm @ 610mA, 4.5V |
電力放蕩(マックス) | 540mW (Ta) |
サプライヤー装置パッケージ | Micro3™/SOT-23 |
ゲートチャージ(Qg) (Max) @ Vgs | 3.6nC @ 4.45V |
ソース電圧(Vdss)へドレインする。 | 20V |
入力容量(Ciss) (Max) @ Vds | 97pF @ 15V |
現在25%で安全連続(id) @°c | 780mA (Ta) |
駆動電圧(Max Rdsオン、Min Rdsオン) | 2.7V, 4.5V |
在庫が 66 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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最小: 1