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SGB02N120ATMA1

メーカー: Infineon Technologies
対象品目: Transistors - IGBTs - Single
データシート: SGB02N120ATMA1
説明: IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
rohs地位: rohs化
属性 属性値
メーカー Infineon Technologies
対象品目 Transistors - IGBTs - Single
シリーズ -
igbtタイプ NPT
包装 Digi-Reel®
入力タイプ Standard
門電荷 11nC
部地位 Discontinued at Digi-Key
-マックス 62W
取付タイプ Surface Mount
パケット/場合 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
実験条件 800V, 2A, 91Ohm, 15V
ベース部材番号 *GB02N120
スイッチングエネルギー 220µJ
td (on / off) @ 25°c 23ns/260ns
作動温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤー装置パッケージ PG-TO263-3
v(オン)(Max) @ Vge, Ic 3.6V @ 15V, 2A
現在-コレクター・Ic (Max) 6.2A
現在-コレクターピン(Icm) 9.6A
電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max 1200V

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