A2V09H525-04NR6
メーカー: | NXP USA Inc. |
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対象品目: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
データシート: | A2V09H525-04NR6 |
説明: | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
rohs地位: | rohs化 |
属性 | 属性値 |
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メーカー | NXP USA Inc. |
対象品目 | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
利得 | 18.9dB |
シリーズ | - |
周波数 | 720MHz ~ 960MHz |
部地位 | Active |
ノイズ図 | - |
现行の中国语-水平考试 | 688mA |
パケット/場合 | OM-1230-4L |
力-出力 | 120W |
-電圧検査 | 48V |
トランジスタタイプ | LDMOS |
電圧-評価 | 105V |
現在の視聴率(アンペア) | 10µA |
サプライヤー装置パッケージ | OM-1230-4L |
在庫が 66 pcs
いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$136.64 | $133.91 | $131.23 |
最小: 1