画像は参考までに、仕様書を参照してください
BC879,112
| メーカー: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| 対象品目: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| データシート: | BC879,112 |
| 説明: | TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92 |
| rohs地位: | rohs化 |
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| メーカー | NXP USA Inc. |
| 対象品目 | Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
| シリーズ | - |
| 包装 | Bulk |
| 部地位 | Obsolete |
| -マックス | 830mW |
| 取付タイプ | Through Hole |
| パケット/場合 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| トランジスタタイプ | NPN - Darlington |
| 作動温度 | 150°C (TJ) |
| 周波数-遷移 | 200MHz |
| サプライヤー装置パッケージ | TO-92-3 |
| vイス(Max) @ Ib、Ic | 1.8V @ 1mA, 1A |
| 現在-コレクター・Ic (Max) | 1A |
| トラッキング・キュートフ(マックス) | 50nA |
| DC電流利得(hFE) (Min) @ Vce | 2000 @ 500mA, 10V |
| 電圧-コレクターズ・エミッター崩壊(Max | 80V |
在庫が 52 pcs
| いや「参考価格 ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
最小: 1
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